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Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 1 TB

    • Artikelnummer: MJB1041080
    • GTIN: 8806095575674
    • HAN: MZ-V9S1T0BW
    PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, 1Tb, 0 - 70 ℃, 1.5 Millionen Stunden (MTBF), 80.15 x 22.15 x 2.38 mm (max.)

    • Geeignet für leistungsstarke PCs, schlanke Laptops und Spielekonsolen
    • Kompatibel mit PCIe® 4.0 x4 und PCIe® 5.0 x2
    • Schnell: Sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250 / 6.300 MB/s
    • Effizient: Um 73% pro Watt verbesserte Leistung gegenüber der 990 EVO
    • Konstant: Smartes Temperatur-Management für durchgängig hohe Leistung
    • Zuverlässig: 5 Jahre eingeschränkte Herstellergarantie
    217,00 €
    inkl. 19% USt. , Kostenloser Versand
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    Fynn Westerhold
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    Kontakt aufnehmen 05741 3408-25

    Beschreibung

    Rasant durch deinen Tag
    Erledige deine Aufgaben im Handumdrehen. Die 990 EVO Plus mit aktuellem NAND-Flash-Speicher bietet sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Große Dateien, schnell übertagen.

    Mit cooler Power durch den Tag
    Viel Effizienz für hohe Performance. Der nickelbeschichtete Controller erhöht die MB/s pro Watt im Vergleich zur 990 EVO um bis zu 73% und erreicht die gleiche Leistung und Wärmekontrolle bei weniger Stromverbrauch. Fokussiere dich ganz auf deine Arbeit oder dein Gaming, ohne dir Gedanken um Überhitzung oder die Akkulaufzeit machen zu müssen.

    Viel Platz.

    Viel Geschwindigkeit.
    Nutze die volle Leistung deines Laufwerks mit intelligentem TurboWrite 2.0. Verarbeite schnell große Datenmengen und bewältige anspruchsvolle Grafiken mit einem großen TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von bis zu 4 TB erhältlich ist.

    Samsung Magician Software
    Moderne Laufwerksverwaltung wie von Zauberhand – mit der Samsung Magician Software. Die benutzerfreundliche Software-Lösung kann dir dabei helfen, immer ein Auge auf deine SSD zu haben. Damit kannst du dein Laufwerk mit Updates auf dem neusten Stand halten, Statusparameter und Geschwindigkeit überwachen und auch die Leistungsfähigkeit anpassen.
     
    Es wird empfohlen, die Firmware deiner Samsung SSDs immer auf die neueste Version zu aktualisieren.

    Moderne Technologie mit Leben füllen
    Seit Jahrzehnten ist der Samsung NAND-Flash-Speicher ein Motor für moderne Technologien, die unser tägliches Leben verändert haben. Die NAND-Flash-Technologie treibt unsere SSDs an und schafft Raum für den nächsten Schub moderner Technologie.

    Leistung
    Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s. Damit bis zu 45% schneller als die 990 EVO.

    Energieeffizienz
    Um bis zu 73% höhere Energieeffizienz im Vergleich zur 990 EVO für mehr MB/s pro Watt bei konstanter Leistung und Wärmekontrolle.

    Vielseitigkeit
    Hohe Kapazität von bis zu 4 TB und schnelles intelligentes TurboWrite 2.0 mit vergrößertem TurboWrite-Bereich.

    Highlights

    Rasant durch deinen Tag:
    Erledige deine Aufgaben im Handumdrehen. Die 990 EVO Plus mit aktuellem NAND-Flash-Speicher bietet sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Große Dateien, schnell übertragen.

    Mit cooler Power durch den Tag:
    Viel Effizienz für hohe Performance. Der nickelbeschichtete Controller erhöht die MB/s pro Watt im Vergleich zur 990 EVO um bis zu 73% und erreicht die gleiche Leistung und Wärmekontrolle bei weniger Stromverbrauch. Fokussiere dich ganz auf deine Arbeit oder dein Gaming, ohne dir Gedanken um Überhitzung oder die Akkulaufzeit machen zu müssen.

    Viel Platz. Viel Geschwindigkeit.:
    Nutze die volle Leistung deines Laufwerks mit intelligentem TurboWrite 2.0. Verarbeite schnell große Datenmengen und bewältige anspruchsvolle Grafiken mit einem großen TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von bis zu 4 TB erhältlich ist.

    Samsung Magician Software:
    Nutze deine SSD ganz nach deinen Vorstellungen mit der Samsung Magician Software – einer Reihe einfacher Tools, mit denen du die SSD-Performance dauerhaft hoch halten kannst. Übertrage Daten schnell und sicher, behalte den Laufwerkszustand im Blick und erhalte stets die neuesten Firmware-Updates.

    Entscheide dich für Sicherheit:
    Wir sprechen von Dateien und Ordnern. Doch in Wahrheit sind es Momente, die du nicht verlieren willst. Von deinen entscheidenden Spielzügen bis zur Arbeit, in die du so viel investiert hast.

    Wenn viel auf dem Spiel steht, triff eine sichere Wahl: bewährte Performance, zuverlässiger Schutz und ein gutes Gefühl in jedem Moment. Entscheide dich für Samsung SSD.

    Leistung:
    Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s. Damit bis zu 45% schneller als die 990 EVO.

    Energieeffizienz:
    Um bis zu 73% höhere Energieeffizienz im Vergleich zur 990 EVO für mehr MB/s pro Watt bei konstanter Leistung und Wärmekontrolle.

    Vielseitigkeit:
    Hohe Kapazität von bis zu 4 TB und schnelles intelligentes TurboWrite 2.0 mit vergrößertem TurboWrite-Bereich.

    Betriebsbedingungen

    Betriebstemperatur 0 - 70 °C
    Stoßfestigkeit in Betrieb 1500 G

    Energie

    Arbeitsspannung 3,3 V
    Energieverbrauch (lesen) 4,3 W
    Energieverbrauch (schreiben) 4,2 W
    Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen) 4,3 W
    Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben) 4,2 W
    Energieverbrauch (idle) 0,06 W
    Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf) 5 mW

    Gewicht und Abmessungen

    Breite 80,2 mm
    Tiefe 2,38 mm
    Höhe 80,2 mm
    Gewicht 9 g

    Merkmale

    NVMe Version 2.0
    Unterstützte Sicherheitsalgorithmen 256-bit AES
    SSD Speicherkapazität 1 TB
    SSD-Formfaktor M.2
    Schnittstelle PCI Express 4.0
    NVMe Ja
    Speichertyp V-NAND TLC
    Komponente für PC
    Hardwareverschlüsselung Ja
    M.2 SSD- Größe 2280 (22 x 80 mm)
    Lesegeschwindigkeit 7150 MB/s
    Schreibgeschwindigkeit 6300 MB/s
    Zufälliges Lesen (4KB) 850000 IOPS
    Zufälliges Schreiben (4KB) 1350000 IOPS
    DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung Ja
    S.M.A.R.T. Unterstützung Ja
    TRIM-Unterstützung Ja
    Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1500000 h

    Verpackungsdaten

    Verpackungsbreite 145 mm
    Verpackungstiefe 100 mm
    Verpackungshöhe 24 mm
    Paketgewicht 68 g

    Merkmale

    Produkteigenschaft Wert
    Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
    Breite: 80,2 mm
    Energieverbrauch (idle): 0,06 W
    Energieverbrauch (lesen): 4,3 W
    Energieverbrauch (schreiben): 4,2 W
    Gewicht: 9 g
    Höhe: 80,2 mm
    Komponente für: PC
    M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm)
    NVMe Version: 2.0
    Speichertyp: V-NAND TLC
    Hardwareverschlüsselung: Ja
    Lesegeschwindigkeit: 7150 MB/s
    Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s
    Zufälliges Lesen (4KB): 850000 IOPS
    Zufälliges Schreiben (4KB): 1350000 IOPS
    DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung: Ja
    TRIM-Unterstützung: Ja
    Arbeitsspannung: 3,3 V
    Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen): 4,3 W
    Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben): 4,2 W
    Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf): 5 mW
    Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
    NVMe: Ja
    Paketgewicht: 68 g
    S.M.A.R.T. Unterstützung: Ja
    SSD Speicherkapazität: 1 TB
    SSD-Formfaktor: M.2
    Schnittstelle: PCI Express 4.0
    Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
    Tiefe: 2,38 mm
    Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
    Verpackungsbreite: 145 mm
    Verpackungshöhe: 24 mm
    Verpackungstiefe: 100 mm
    Artikelgewicht: 0,07 kg
    Höhe: 22,1 mm
    Tiefe: 2,38 mm
    Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
    Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
    Breite: 80,2 mm
    Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
    Gewicht: 9 g
    Hardwareverschlüsselung: Ja
    SSD-Formfaktor: M.2
    NVMe: Ja
    SSD Speicherkapazität: 1 TB
    Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
    M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm)
    Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben): 4,2 W
    Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen): 4,3 W
    Arbeitsspannung: 3,3 V
    Komponente für: PC
    Schnittstelle: PCI Express 4.0
    Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s
    Lesegeschwindigkeit: 7150 MB/s
    S.M.A.R.T. Unterstützung: Ja
    Zufälliges Schreiben (4KB): 1350000 IOPS
    Zufälliges Lesen (4KB): 850000 IOPS
    Speichertyp: V-NAND TLC
    TRIM-Unterstützung: Ja
    DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung: Ja
    NVMe Version: 2.0

    Herstellerinformationen

    Angaben zur Produktsicherheit

    Angaben zur Produktsicherheit

    Garantiebedingungen des Herstellers finden sie hier
    Herstellerinformationen:
    Samsung
    Frankfurter Straße 2
    Eschborn, Deutschland, 65760
    kundenbetreuung@samsung.de

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