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Samsung MZ-V9P2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

    • Artikelnummer: MJB1157203
    • GTIN: 8806094594652
    • HAN: MZ-V9P2T0GW
    • 2 TB M.2 PCI Express 4.0
    • Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s 1400000 IOPS
    • Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s 1550000 IOPS
    • V-NAND MLC NVMe 2.0
    • Hardwareverschlüsselung 256-bit AES
    • S.M.A.R.T. Unterstützung TRIM-Unterstützung
    • Komponente für: PC/Spielekonsole
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    Beschreibung

    Samsung MZ-V9P2T0. SSD Speicherkapazität: 2 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s, Komponente für: PC/Spielekonsole

    Betriebsbedingungen

    Betriebstemperatur 0 - 70 °C
    Stoßfestigkeit in Betrieb 1500 G

    Energie

    Arbeitsspannung 3,3 V
    Stromverbrauch (max.) 8,5 W
    Stromverbrauch (durchschnittl.) 5,5 W
    Energieverbrauch (idle) 0,055 W

    Gewicht und Abmessungen

    Breite 80 mm
    Tiefe 8,2 mm
    Höhe 24,3 mm
    Gewicht 28 g

    Merkmale

    NVMe Version 2.0
    Unterstützte Sicherheitsalgorithmen 256-bit AES
    SSD Speicherkapazität 2 TB
    SSD-Formfaktor M.2
    Schnittstelle PCI Express 4.0
    NVMe Ja
    Speichertyp V-NAND MLC
    Komponente für PC/Spielekonsole
    Hardwareverschlüsselung Ja
    M.2 SSD- Größe 2280 (22 x 80 mm)
    Lesegeschwindigkeit 7450 MB/s
    Schreibgeschwindigkeit 6900 MB/s
    Zufälliges Lesen (4KB) 1400000 IOPS
    Zufälliges Schreiben (4KB) 1550000 IOPS
    DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung Ja
    S.M.A.R.T. Unterstützung Ja
    TRIM-Unterstützung Ja
    Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1500000 h

    Merkmale

    Produkteigenschaft Wert
    Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
    Breite: 80 mm
    Energieverbrauch (idle): 0,055 W
    Gewicht: 28 g
    Höhe: 24,3 mm
    Komponente für: PC/Spielekonsole
    M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm)
    NVMe Version: 2.0
    Speichertyp: V-NAND MLC
    Hardwareverschlüsselung: Ja
    Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s
    Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s
    Zufälliges Lesen (4KB): 1400000 IOPS
    Zufälliges Schreiben (4KB): 1550000 IOPS
    DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung: Ja
    TRIM-Unterstützung: Ja
    Arbeitsspannung: 3,3 V
    Stromverbrauch (durchschnittl.): 5,5 W
    Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
    NVMe: Ja
    S.M.A.R.T. Unterstützung: Ja
    SSD Speicherkapazität: 2 TB
    SSD-Formfaktor: M.2
    Schnittstelle: PCI Express 4.0
    Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
    Stromverbrauch (max.): 8,5 W
    Tiefe: 8,2 mm
    Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
    Versandgewicht: 0,08 kg
    Artikelgewicht: 0,08 kg

    Herstellerinformationen

    Angaben zur Produktsicherheit

    Angaben zur Produktsicherheit

    Garantiebedingungen des Herstellers finden sie hier
    Herstellerinformationen:
    Samsung
    Frankfurter Straße 2
    Eschborn, Deutschland, 65760
    kundenbetreuung@samsung.de

    PDF (1)

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